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用共熔法在玻璃基体中退火生长了一系列不同尺寸的CdSSe半导体纳米晶体,并比较和分析了一步法和两步法.两步退火法增加纳米晶体的数目,在一定程度上提高了纳米晶体尺寸分布.根据纳米晶体的室温吸收光谱,用有效质量近似模型估算了纳米晶体的平均尺寸在2.25～2.58 nm之间.
CdSSe半导体纳米晶体的实验研究
【摘 要】
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用共熔法在玻璃基体中退火生长了一系列不同尺寸的CdSSe半导体纳米晶体,并比较和分析了一步法和两步法.两步退火法增加纳米晶体的数目,在一定程度上提高了纳米晶体尺寸分布.
【机 构】
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四川师范大学物理与电子工程学院固体物理所
【出 处】
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四川师范大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2005年6期
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