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用直流反应磁控溅射法在陶瓷基片上制备出TiO2薄膜。并进行1100℃，2h的退火处理。配置钼酸铵溶液，利用浸渍法处理TiO2薄膜若干时间。取出后，进行500℃，3h退火处理。用气敏测试箱对制备出的TiO2薄膜的氧敏特性进行试验测试，发现对氧气有很好的敏感特性，比未经此项工艺处理的TiO2薄膜的最佳工作温度降低100℃，为300℃左右，并进行SEM测试，分析其表面结构，研究气敏机理。