射频磁控溅射法制备N掺杂β-Ga_2O_3薄膜的光学特性

来源 :光子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：afuren1

【摘要】

：

在不同氨分压比（0~30%）下,用射频磁控溅射法在玻璃和硅衬底上制备了N掺杂β-Ga2O3薄膜.研究了氨分压比和退火对薄膜光学和结构特性的影响.N掺杂β-Ga2O3薄膜的微结构、光学透过

【作者】

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闫金良张易军李清山曲崇张丽英李厅

【机构】

：

鲁东大学物理学院

【出处】

：

光子学报

【发表日期】

：

2011年6期

【关键词】

：

射频磁控溅射透明导电氧化物光学带隙退火 N掺杂β-Ga2O3 RF magnetron sputtering Transparent conductiv

【基金项目】

：

The National Natural Science Foundation of China （No.10974077）, the Natural Science Foundation of Shandong Province（No.2009ZRB01702）, Project of Shandong Province Higher Educational Science and Techno

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在不同氨分压比（0~30%）下,用射频磁控溅射法在玻璃和硅衬底上制备了N掺杂β-Ga2O3薄膜.研究了氨分压比和退火对薄膜光学和结构特性的影响.N掺杂β-Ga2O3薄膜的微结构、光学透过率、光学吸收和光学带隙随着氨分压比的增加发生了显著变化.观察到了绿光、蓝光和紫外发光带,并对每个发光带进行了讨论.

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