外加电场和Al组分对纤锌矿AlGaN/GaN量子阱中的电子g因子的影响

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：haobishuiduo

【摘要】

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研究了外加电场和垒层的Al组分对AlGaN/GaN量子阱中的横向和纵向g因子（g⊥和g//）及其各向异性（δg）的影响.纤锌矿体结构的贡献（S//bulk和g⊥）是构成g⊥=（g//-g0）=g//bulk的主要部分,

【作者】

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李明姚宁冯志波韩红培赵正印

【机构】

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许昌学院电气信息工程学院

【出处】

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物理学报

【发表日期】

：

2018年5期

【关键词】

：

自旋轨道耦合 Rashba效应塞曼效应 G因子 spin-orbit couplingRashba effectZeeman effectg factor

【基金项目】

：

国家自然科学基金（批准号：61306012）,河南省高等学校青年骨干教师（批准号：2015GGJS-145）,许昌学院杰出青年骨干人才计划,河南省自然科学基金（批准号：162300410237）,河南省科技发展计划（批准号：172102210470）资助的课题

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研究了外加电场和垒层的Al组分对AlGaN/GaN量子阱中的横向和纵向g因子（g⊥和g//）及其各向异性（δg）的影响.纤锌矿体结构的贡献（S//bulk和g⊥）是构成g⊥=（g//-g0）=g//bulk的主要部分,但g//bulk和g⊥的差值很小且几乎不随外加电场和Al组分改变.当外加电场的方向同极化电场的方向相同（相反）且增加时,g//bulk和g⊥bulk的强度同时增加（减小）.当外加电场从-1.5×108 V·m-1到1.5×108 V·m-1变化时,异质

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