【摘 要】
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采用化学沉淀法制备了纯态CuO和α-Fe2O3颗粒,并采用沉积-沉淀法将p型半导体CuO负载到n型半导体α-Fe2O3表面,制备了p-n型复合半导体氧化物气体敏感材料CuO/α-Fe2O3.对所合
【机 构】
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河南理工大学材料科学与工程学院,河南理工大学安全科学与工程学院
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采用化学沉淀法制备了纯态CuO和α-Fe2O3颗粒,并采用沉积-沉淀法将p型半导体CuO负载到n型半导体α-Fe2O3表面,制备了p-n型复合半导体氧化物气体敏感材料CuO/α-Fe2O3.对所合成的材料进行了XRD、SEM、TEM和XPS表征.结果显示：负载量较低时,CuO高分散在α-Fe2O3载体表面,当负载量达到30%时,形成了新的CuFe2O4晶相;所合成的样品由粒径大小约10 nm的纳米颗粒组成.气敏性能测试结果显示：该材料在100℃的较低温度下,对CO的灵敏度相对纯α-Fe2O3提高了几十倍.
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