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HMGB1/TLR4信号通路-细胞凋亡在脑缺血再灌注损伤中的作用及研究进展

来源 :四川生理科学杂志 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jjuuhhuu

【摘 要】

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脑缺血再灌注是涉及多种发病机制,具有复杂的级联反应性的病理生理过程,凋亡(细胞程序性死亡)在此过程中发挥着重要作用.高迁移率族蛋白1(High-mobility group box 1,HMGB1)通过与糖基化终末产物受体(Receptor for advanced glycation end products,RAGE)或Toll样受体(Toll like receptors,TLRs)等受体结合,激活下游相应的信号通路,调节神经炎症,参与神经细胞的存活/凋亡.本文就脑缺血再灌注后HMGB1/TLR4信

【作 者】

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蔡乐 李想 王勇 

【机 构】

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广西肿瘤免疫与微环境调控重点实验室,广西 桂林 541004;广西肿瘤免疫与微环境调控重点实验室,广西 桂林 541004;桂林医学院,广西 桂林 541004

【出 处】

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四川生理科学杂志

【发表日期】

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2022年3期

【关键词】

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脑缺血再灌注 细胞凋亡 HMGB1/TLR4信号通路 

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脑缺血再灌注是涉及多种发病机制,具有复杂的级联反应性的病理生理过程,凋亡(细胞程序性死亡)在此过程中发挥着重要作用.高迁移率族蛋白1(High-mobility group box 1,HMGB1)通过与糖基化终末产物受体(Receptor for advanced glycation end products,RAGE)或Toll样受体(Toll like receptors,TLRs)等受体结合,激活下游相应的信号通路,调节神经炎症,参与神经细胞的存活/凋亡.本文就脑缺血再灌注后HMGB1/TLR4信号通路与细胞凋亡的关系进行综述,旨在为缺血性脑卒中的基础研究和临床治疗提供新的靶点和思路.

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