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AlN的禁带宽度可达6.2 eV,并具有直接带隙,是重要的蓝光和紫外发光材料;同时AlN具有热导率高,熔点高,电阻率高,击穿场强大,介电系数小等多种优异性能,是优异的高温、高频和大功率器件用电子材料;沿c轴取向的AlN还具有非常好的压电性和声表面波高速传播性能,是一种优异的压电材料。由于AlN属于宽禁带材料,因此具有很好的稳定性。据此本文提出采用AlN晶体作为压电传感器新型敏感元件设计制作耐高温传感器新的技术路线与方法。为证明AlN晶体可以在传感器技术方面发挥独特的作用,文中以振动传感器为例开展AlN新型