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用真空电弧熔炼制备（Gd1-xREx）5Si4（x=0．1，0．2，0．3，0．35）和（Gd1-xHox）5Si4（x=0．05，0．15，0．25）系列合金，在950℃下168h的真空热处理后，对其晶体结构、居里温度进行了研究。室温XRD分析发现该系列合金仍保持Gd5Si4的Sm5Ge4正交型结构，采用Rietveld法分析计算发现合金晶格常数随着X量的增加而逐渐减小。试样M-T磁化曲线测量结果表明：居里温度瓦在336K～260K连续可调，改变RE的含量可以得到不同的居里温度Tc;Tc近似呈线性变化，