【摘 要】
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增强型GaN HEMT器件的开关速度较现有硅基MOSFET有很大提高,导致硅基MOSFET栅驱动电路无法用于驱动增强型GaN HEMT器件。本文设计了一种适用于增强型GaN HEMT器件的新型栅驱
【机 构】
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黄山市祁门新飞电子科技发展有限公司,黄山学院信息工程学院
【基金项目】
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安徽省科技厅2017年重点研究与开发计划(1704a0902037);黄山学院校地合作项目(2017XDHZ020,2017XDHZ021
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增强型GaN HEMT器件的开关速度较现有硅基MOSFET有很大提高,导致硅基MOSFET栅驱动电路无法用于驱动增强型GaN HEMT器件。本文设计了一种适用于增强型GaN HEMT器件的新型栅驱动电路,进而实现高速开关速度。该驱动电路包括接口电路、死区产生电路、电平移位电路、输出驱动电路、欠压保护电路、过流和过热保护电路,Hspice软件仿真结果表明该栅驱动电路功能正确,性能良好,验证了设计有效性。
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