【摘 要】
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通过旋涂含有CdSe/ZnS量子点（Quantum dot,QD）的溶液为发光层薄膜,制备了叠层结构的电致发光二极管,利用原子力显微镜研究了QD发光亮度、薄膜形貌与其工艺条件、参数的关系。研
【机 构】
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上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室
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通过旋涂含有CdSe/ZnS量子点（Quantum dot,QD）的溶液为发光层薄膜,制备了叠层结构的电致发光二极管,利用原子力显微镜研究了QD发光亮度、薄膜形貌与其工艺条件、参数的关系。研究结果表明：随QD厚度的增加,QD纳米粒子薄膜由单层向多层薄膜形成,QD纳米颗粒发生团聚现象,并使器件亮度降低。此外,退火温度对QD薄膜形貌及其发光强度影响很大：当退火温度高于150℃时,产生的热量也会造成QD纳米粒子团聚,并导致QLED器件发光性能下降。
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