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以金属钨为催化热丝，采用热丝催化化学气相沉积，在300℃的玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜。研究了H2稀释率、钨丝与衬底间的距离和反应室气体压力等沉积参数对制备多晶硅薄膜的影响，并通过XRD谱分析，确定了本实验系统的最佳多晶硅成膜条件：FR（SiH4）=5mL／min，FR（H2）=70mL／min，P=50Pa，L衬底与钨丝=7．5cm，T=30min，t衬底=300℃，特征峰在（111）面上。在接触式膜厚仪测量的基础上，计算出薄膜生长速率为0．6nm／s。对最佳成膜条件下制备的多晶硅薄膜进行刻蚀，形成不同的厚