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相变存储器（Phase Change Memory,PCM）的RESET电流是决定其功耗的最重要参数。基于相变材料Ge2Sb2Te5（GST）的PCM单元,不同的SET条件下晶粒表现出两种不同的晶态结构,分别为立方晶相和六方晶相。针对这两种不同晶态结构的晶粒,应用数值模拟计算,对PCM单元的RESET电流进行研究,并将模拟结果与实际测试结果对比验证。结果表明：基于立方晶粒GST的PCM单元需要的RESET电流更小。