【摘 要】
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在CMOS带隙基准原理的基础上,设计了一种结构简单的高性能带隙基准电压源,并利用PN结正向导通电压具有负温度系数,实现过温保护。该电路采用(CSMC)0.5μm CMOS工艺进行仿真,H
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在CMOS带隙基准原理的基础上,设计了一种结构简单的高性能带隙基准电压源,并利用PN结正向导通电压具有负温度系数,实现过温保护。该电路采用(CSMC)0.5μm CMOS工艺进行仿真,Hspice测试结果表明在4V~7V范围内电源抑制比为0.002V/V;在-30℃~120℃温度范围内温度系数为20.6 PPM/℃;当电路温度超过120℃时过温保护电路将输出使能信号关断整个系统。
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