4H-SiC结势垒肖特基二极管VRSM特性研究

来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yediwuqiang

【摘要】

：

通过器件模拟仿真软件Sentauras和高分辨率透射电子显微镜HRTEM（High-Resolution Transmission Electron Microscopy）研究了4H-SiC结势垒肖特基二极管JBS（Junction Barrier Scho

【作者】

：

顾春德刘斯扬马荣晶孙伟锋黄润华陶永洪刘奥汪玲

【机构】

：

东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,中国电子科技集团公司第五十五研究所

【出处】

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电子器件

【发表日期】

：

2015年4期

【关键词】

：

4H-SIC 结势垒肖特基二极管反向浪涌峰值电压优化 4H-SiC junction barrier schottky VRSM optimizati

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通过器件模拟仿真软件Sentauras和高分辨率透射电子显微镜HRTEM（High-Resolution Transmission Electron Microscopy）研究了4H-SiC结势垒肖特基二极管JBS（Junction Barrier Schottky）在反向浪涌电压应力作用下的失效机理;进而重点研究了结终端扩展区JTE（Junction Termination Extension）的长度、深度和掺杂浓度对该器件反向浪涌峰值电压VRSM（Maximum Surge Peak Reverse

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