一种用于非线性分析的新型4H-SiC MESFET大信号经验模型

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：meiaihui

【摘要】

：

提出了一种简洁的新型4H-SiC MESFET经验大信号模型.在Materka漏电流模型基础上,改进了沟道调制因子和饱和电压系数的建模方式,电容模型采用了改进的电荷守恒模型.参数的提取

【作者】

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曹全君张义门张玉明吕红亮郭辉汤晓燕王悦湖

【机构】

：

西安电子科技大学微电子研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年7期

【关键词】

：

4H-SIC MESFET 大信号经验模型 Levenberg-Marquardt优化方法 4H-SiC MESFET large signal empiri

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展规划资助项目（批准号：51327010101）

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提出了一种简洁的新型4H-SiC MESFET经验大信号模型.在Materka漏电流模型基础上,改进了沟道调制因子和饱和电压系数的建模方式,电容模型采用了改进的电荷守恒模型.参数的提取和优化采用了Levenberg-Marquardt优化方法.在偏置点VDS=20V,IDS=80mA和工作频率1.8GHz下,模型直流电流-电压扫描曲线、输出功率、功率附加效率和增益的模拟结果与实验数据符合良好.

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