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采用射频磁控溅射的方法在不同温度下Si（111）衬底上制备出了具有高C轴择优取向的ZnO薄膜，利用x射线衍射（XRD），原子力显微镜（AFM），光致发光（PL）谱等分析手段研究了衬底温度对ZnO薄膜微观结构及发光特性的影响．通过XRD和AFM分析发现随着衬底温度的升高，制备样品的X射线衍射半高宽（FWHM）减小，晶粒尺寸增大，在300℃时晶粒尺寸达到最大，但随温度的进一步升高（至400℃）晶粒尺寸减小，缺陷增多．薄膜样品PL谱均在520nm处出现绿光发射峰，本文认为这是由于氧空位（Vo）和氧替位（Oza）