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采用磁控溅射法在Si（111）衬底上沉积了Ba单层膜，研究了退火温度对Ba-Si化舍物生成的影响。X射线衍射表明，在真空中退火12h后出现了Ba3Si4（202）和Ba3Si4（221）衍射峰，表现出择优取向，700℃是理想的退火温度。采用第一性原理对Ba3鼠的能带结构和态密度进行了计算，结果表明它是一种金属，价带主要是由Si的3s、3p及Ba的5p、6s态电子构成，导带主要由Ba的5d及Si的3p态电子构成。