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采用真空蒸发法制备了CdS和CdTe，并对其结构和光学性质进行了研究．原位制备了衬底沿(001)高度择优取向的CdS／CdTe异质结，研究了其结构、电子学性质．获得的CdS，／CdTe半导体异质结的价带偏移△Ev=0．98eV±0．05eV，导带偏移AEc=0．07±0．1eV．
多晶CdS／CdTe异质结界面的能带偏移
【摘 要】
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采用真空蒸发法制备了CdS和CdTe，并对其结构和光学性质进行了研究．原位制备了衬底沿(001)高度择优取向的CdS／CdTe异质结，研究了其结构、电子学性质．获得的CdS，／CdTe半导体异质结的价
【机 构】
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西南交通大学理学院,四川大学材料科学与工程学院
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2005年6期
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