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分析了外加直流电场对Al和Ni诱导非晶硅（a-Si）薄膜横向结晶速率的影响，指出，在热处理条件下，Al和Ni能加快诱导a-Si薄膜横向结晶的速率；适当强度的外加电场能明显加快金属诱导a-Si横向结晶速率；Al和Ni诱导a-Si结晶速率的增大主要是电场提高了扩散物的迁移率。但场强超过某临界值后该速率降低。基于电迁移效应，对此结果作了较合理的解释。结合文献，提出一经验公式，并用MATLAB模拟了外电场中Al和Ni诱导a-Si薄膜横向结晶速率曲线。