【摘 要】
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在超软赝势密度泛函理论基础上计算分析了TiO2基(100)晶面低维材料的形成、电子结构和光学性质。结果表明,TiO2基(100)晶面低维材料的形成焓大于TiO2块体材料的形成焓,其稳定
【机 构】
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广西民族师范学院物理与电子工程学院,北京工业大学材料科学与工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(11347141),广西民族师范学院科研经费资助项目(2018YB002).
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在超软赝势密度泛函理论基础上计算分析了TiO2基(100)晶面低维材料的形成、电子结构和光学性质。结果表明,TiO2基(100)晶面低维材料的形成焓大于TiO2块体材料的形成焓,其稳定性比TiO2块体材料低。TiO2基(100)晶面低维材料带隙为2.760eV,高于其体材料,其带隙为间接型。其价带顶和导带底主要分别由Op电子和Tid电子形成,并且Ti的d电子和O的p电子在-2.5eV处有局域作用。TiO2基(100)晶面低维材料电子局域化程度增大,Ti和O之间的离子性结合程度增强。TiO2基(100)晶面
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