无屏蔽罩的矩形平面磁控溅射靶的设计

来源 :华南理工大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:pocohao
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通过理论分析、实际设计和实验,对矩形平面磁控溅射靶表面水平磁感应强度B的传统取值上限进行了拓展,结果表明:若阴极靶体下表面和4个侧面的磁感应强度被屏蔽低于0.0005T,同时上表面覆盖同一靶材,则可抛弃屏蔽罩,采用裸靶结构,靶表面的水平磁感应强度B就可以远高于0.05T,达到0.09T,此外,B的增加显著降低了磁控溅射镀膜工艺的着火电压和维持放电电压,为实现低电压磁控溅射提供了另外一种思路。
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