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本文提出了一种优化LED电极结构的新思路,通过改变GaN基水平结构LED的p-n电极间距,研究了LED在正常驱动电流和高电流驱动(over drive)时的电流扩展能力和出光效率的变化幅度,找到了特定尺寸芯片的最佳p-n电极间距。通过近场,分析了该电极间距下电流扩展状况;最后,将该电极间距的芯片封装成白光光源,进而研究了光源的光效提升效果。