【摘 要】
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为了探究高压eGaN HEMT的开关行为及其影响因素,首先详细分析了eGaN HEMT的开关过程,推导出开关各个阶段的持续时间及影响因素,并将其归纳为器件参数、驱动电路参数和工况,通
【机 构】
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多电飞机电气系统工业与信息化部重点实验室,苏州华碧微科检测技术有限公司
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(51677089),中央高校基本科研业务费专项资金项目(NJ20160047),南京航空航天大学研究生创新基地(实验室)开放基金项目(kfjj20170308),江苏省研究生科研与实践创新计划项目(KYCX18_0287)
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为了探究高压eGaN HEMT的开关行为及其影响因素,首先详细分析了eGaN HEMT的开关过程,推导出开关各个阶段的持续时间及影响因素,并将其归纳为器件参数、驱动电路参数和工况,通过实验对eGaN HEMT开关过程和驱动电路参数以及工况对eGaN HEMT高速开关行为的影响规律进行验证,探究了实际电路中存在寄生电感对开关行为的影响。实验结果表明,调整驱动电路参数可以提高开关速度,降低开关损耗,但不可避免地会引起电压、电流的振荡和过冲,设计驱动电路时需要折衷考虑,工况对开关时间影响较大,桥臂电路应用需要根
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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技