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针对于高阻衬底、高阻外延工艺与常规CMOS工艺的兼容性进行研究,主要讨论了CMOS外延工艺中确定有效外延层厚度的实验过程。
高阻衬底CMOS外延工艺研究
【摘 要】
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针对于高阻衬底、高阻外延工艺与常规CMOS工艺的兼容性进行研究,主要讨论了CMOS外延工艺中确定有效外延层厚度的实验过程。
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十七研究所
【出 处】
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微处理机
【发表日期】
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2013年2期
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