STI埋层的高光电流和低暗计数率单光子雪崩二极管

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：bbnn1122

【摘要】

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研究和分析了一种0.18μm CMOS工艺单光子雪崩二极管(SPAD),其结构能抑制过早的边缘击穿(PEB),同时获得较大的光电流和低的暗计数率(DCR).该SPAD由p-well/deep n-well的感光

【作者】

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金湘亮彭亚男曾朵朵杨红姣蒲华燕彭艳罗均

【机构】

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湘潭大学物理与光电工程学院,湖南师范大学物理与电子科学学院,上海大学机电工程与自动化学院

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2019年2期

【关键词】

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单光子雪崩二极管边缘击穿暗计数率互补金属氧化物半导体光子探测概率 single-photon avalanche diode(SPAD)prematur

【基金项目】

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National Natural Science Foundation of China(61774129,61704145,61525305,61827812),Hunan Provincial Natural Science Fund for Distinguished Young Scholars(2015JJ1014).

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研究和分析了一种0.18μm CMOS工艺单光子雪崩二极管(SPAD),其结构能抑制过早的边缘击穿(PEB),同时获得较大的光电流和低的暗计数率(DCR).该SPAD由p-well/deep n-well的感光结,deep n-well向上扩散形成的区域和边缘Shallow Trench Isolation(STI)共同形成的保护环组成.通过测试确定了与光电流和暗率有关的STI层的大小.结果证明,在STI层与保护环之间的重叠区域为1μm时,SPAD的暗计数率和光电流最佳.此外,直径为10μm的圆形SPAD

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