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对SiC中基态施主能级分裂对杂质电离的影响，与温度、掺杂浓度和杂质能级深度的关系进行了系统研究。发现只有在高温且掺杂浓度低的情况下，能级分裂的影响很小可忽略不计，其他条件下均需考虑能级分裂因素。随掺杂浓度的增加，能级分裂的影响增强；随温度的升高，能级分裂影响的整体趋势下降，但存在峰值。当杂质能级深度发生变化时，能级分裂的影响显得比较复杂；曲线上的峰值随着能级深度的增加而向高温方向移动，能级越浅峰就越小；并且在高于某一温度时，随能级的加深能级分裂的影响逐渐增强。