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采用0．13／xm标准CMOS工艺，全定制设计实现了一款8kB（8k＊8bit）的高速低功耗静态随机存取存储器（SRAM）。分析了影响存储器性能和功耗的原因，并在电路布局上做了改进，将两个3—8译码器进行拆分与重组，降低了互连线的延迟和耦合作用；同时，对灵敏放大器也做了改进。版图后仿真表明，在电源电压为1．2V、温度为25℃的典型条件下，读1延时为766．37ps，最大功耗为11．29mW，功耗延时积PDP为8．65pJ，实现了很好的性能。