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随着新实验现象和新型光电子器件应用研究的发展，耦合双量子阱系统受到普遍的关注.此外，在压力作用下，半导体中原子间距会发生变化，使得材料能带结构、载流子有效质量、介电常数以及晶格振动频率等都将改变。鉴于此，本文计算耦合双量子阱中重空穴激子基态结合能的压力效应。
GaAsAlxGa1-xAs对称耦合双量子阱中激子结合能的压力效应
【摘 要】
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随着新实验现象和新型光电子器件应用研究的发展，耦合双量子阱系统受到普遍的关注.此外，在压力作用下，半导体中原子间距会发生变化，使得材料能带结构、载流子有效质量、介电常数
【机 构】
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内蒙古大学物理科学与技术学院,呼和浩特,010021
【出 处】
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第十七届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2009年8期
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