【摘 要】
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研究了利用背面Ar+轰击改善n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)线性区的特性.用低能量(550 eV)的Ar+轰击n-MOSFET芯片的背面,能有效地改善其线性区的直流特性,如跨
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研究了利用背面Ar+轰击改善n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)线性区的特性.用低能量(550 eV)的Ar+轰击n-MOSFET芯片的背面,能有效地改善其线性区的直流特性,如跨导、沟道电导、阈值电压、表面有效迁移率以及低频噪声等.实验结果表明,随着轰击时间的增加,跨导、沟道电导和表面有效迁移率先增大,然后减小;阈值电压先减小,随后变大;而低频噪声在轰击后明显减小.实验证明,上述参数的变化是硅-二氧化硅界面态密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果.
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