【摘 要】
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瞬时电离辐射在电子器件内部形成的光电流可引起器件输出扰动,导致电路中部分器件受电源、输入信号及自身产生光电流扰动的多重影响,而单独对器件进行试验无法反映γ瞬时辐射
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瞬时电离辐射在电子器件内部形成的光电流可引起器件输出扰动,导致电路中部分器件受电源、输入信号及自身产生光电流扰动的多重影响,而单独对器件进行试验无法反映γ瞬时辐射输出扰动在电子组件系统中的传递影响.为此对由DC/DC、稳压器、单片机CPU,FPGA 等组成的控制器组件在2.8×10^5-1.7×10^7Gy（Si）/s的范围内开展了γ瞬时辐射效应的试验研究.试验中对组件功能和器件参数的测试结果表明,在较小的瞬时剂量率下,部分器件输出受到影响,但组件功能正常;较大剂量率时,所有器件均受影
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