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利用衬底热空穴（SHH）注入技术，分别定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响，讨论了不同应力条件下的阈值电压变化。阈值电压的漂移表明是正电荷陷入氧化层中，而热电子的存在是氧化层击穿的必要条件。把阳极空穴注入模型和电子陷阱产生模型统一起来，提出了薄栅氧化层的击穿是与电子导致的空穴陷阱相关的。研究结果表明薄栅氧化层击穿的限制因素依赖于注入热电子量和空穴量的平衡。认为栅氧化层的击穿是一个两步过程。第一步是注入的热电子打断Si-O键，产生悬挂键充当空穴陷阱中心，第二上是空穴被陷阱俘获，在氧化层中产生导电