晶化时间、模板剂对Si-MCM-41结构的影响

来源 :西安石油大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhoujhipanel

【摘要】

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以有机硅为硅源，采用碱性水热合成制备Si-MCM-41，借助XRD，N2吸附-脱附表征手段系统研究晶化时间、模板剂对其长程有序结构的影响．结果表明：晶化过程中必须调节体系的pH，样品的六方

【作者】

：

蒋庆哲郑成国潘胜宋昭峥

【机构】

：

石油大学重质油国家重点实验室,吐哈油田原稳厂

【出处】

：

西安石油大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2006年4期

【关键词】

：

Si—MCM-41 孔结构 PH调节比表面积孔壁厚度 Si-MCM-41 pore structure pH adjustment specific sur

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以有机硅为硅源，采用碱性水热合成制备Si-MCM-41，借助XRD，N2吸附-脱附表征手段系统研究晶化时间、模板剂对其长程有序结构的影响．结果表明：晶化过程中必须调节体系的pH，样品的六方晶相才会随晶化时间的增长而不断地生长和完善．长时间的晶化有利于孔壁增厚，对于提高Si-MCM-41的稳定性是有利的，但同时比表面积呈现下降趋势．综合考虑六方有序结构的生长和完善以及孔壁的厚度、比表面积等因素，确定晶化时间为120h．增加模板剂（template）浓度会促进Si—MCM-41孔结构形成和排列的规整性，当模板

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