【摘 要】
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研究了深亚微米PMOS器件在负偏压温度 (negativebiastemperature,NBT)应力前后的电流电压特性随应力时间的退化 ,重点分析了NBT应力对PMOS器件阈值电压漂移的影响 ,通过实验
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所,西安电子科技大学微电子研究所,西安电子科技大学微电子研究所 西安710071,西安710071,西安710071
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研究了深亚微米PMOS器件在负偏压温度 (negativebiastemperature,NBT)应力前后的电流电压特性随应力时间的退化 ,重点分析了NBT应力对PMOS器件阈值电压漂移的影响 ,通过实验证明了在栅氧化层和衬底界面附近的电化学反应和栅氧化层内与氢相关的元素的扩散 ,是PMOS器件中NBT效应产生的主要原因 .指出NBT导致的PMOS器件退化依赖于反应机理和扩散机理两种机理的平衡 .
The effects of NBT stress on the threshold voltage shift of PMOS devices are analyzed emphatically. The effects of gate-oxidation The electrochemical reaction near the interface between the layer and the substrate and the diffusion of hydrogen-related elements in the gate oxide layer are the main reasons for the NBT effect in the PMOS device. It is pointed out that the degeneration of the PMOS device due to the NBT depends on both the reaction mechanism and the diffusion mechanism Mechanism of balance.
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