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为了研究多晶硅栅对内嵌可控硅（SCR）的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS-SCR）器件静电放电（ESD）防护性能的影响,基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS（BCD）工艺制备了LDMOS-SCR与SCR器件,并利用传输线脉冲测试比较它们的ESD特性.通过仿真2种器件在不同强度ESD应力下的电流密度分布,比较器件内部触发电流泄放路径的开启顺序;通过仿真2种器件在强电压回滞下的电流线和晶格温度的分布,分析因电场影响电流泄放的方式以及温度的分布而导致ESD鲁棒性的差异.仿真和测试结果表明,与