【摘 要】
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针对传统掩膜圆晶片存在的电镀工艺不完善和电镀质量差等问题,本文结合实际掩膜圆晶片电镀工艺,基于计算机仿真技术,模拟了在掩膜圆晶片上镀铜的瞬态电镀工艺。电镀仿真结果
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针对传统掩膜圆晶片存在的电镀工艺不完善和电镀质量差等问题,本文结合实际掩膜圆晶片电镀工艺,基于计算机仿真技术,模拟了在掩膜圆晶片上镀铜的瞬态电镀工艺。电镀仿真结果表明,通过电流采集器的添加,使铜电镀镀层厚度变得更加均匀,并且随着镀层的加厚,镀层的阻抗损耗减小,从而得到具有均匀厚度分布的掩膜圆晶片电镀工艺。
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