【摘 要】
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噻吩并四硫富瓦烯（TTF）衍生物在有机场效应材料方面有较大的应用前景.应用密度泛函理论B3LYP泛函在6-31G（d,p）基组水平上计算了系列氟取代扩展噻吩并四硫富瓦烯衍生物（c2FT、t2FT
【机 构】
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江苏省低维材料化学重点建设实验室,延边大学理学院化学系,东北师范大学化学学院
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噻吩并四硫富瓦烯（TTF）衍生物在有机场效应材料方面有较大的应用前景.应用密度泛函理论B3LYP泛函在6-31G（d,p）基组水平上计算了系列氟取代扩展噻吩并四硫富瓦烯衍生物（c2FT、t2FT及4FT）的轨道能级、电离能（IP）、电子亲和势（EA）和重组能（λ）.在此基础上,进一步计算二聚体的迁移率,评估了载流子传输能力,并讨论取代位置和堆积方式对电荷传输性质的影响.计算结果表明,氟取代位置对二噻吩并四硫富瓦烯（DT-TTF）衍生物迁移率及电荷传输性质的影响较小,却有效降低了给电子能力.计算结果对设计和
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