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随着5G通信的逐步发展,系统对于高密度、小体积、低成本提出了更高的要求。硅基集成无源器件(IPD)因其尺寸小、设计工艺与CMOS工艺相兼容,而被广泛应用于系统级封装(SIP)。为提高电容密度,增大电感品质因数,提高整体滤波器的性能,结合硅基薄膜技术、半加成工艺分别制备电容、电感,设计了基于5G通信的双零点电容耦合带通滤波器。该滤波器具有低成本、小尺寸(1.1mm*0.68mm)、低带内插损([email protected])和较好的带外抑制(零点位置:[email protected]和[email protected])