论文部分内容阅读
本文报道a-Si∶H本征膜及Pin二极管的1MeV1.4×1015,4.2×1015,8.4×1015/cm2电子幅照实验结果和退火行为.测量了电子辐照对a-Si∶H光暗电导率和光致发光谱的影响,以及a-Si∶H Pin二极管光伏特性和光谱响应随电子辐照剂量的变化.发现电子辐照在a-Si∶H本征膜和二极管中引起严重的损伤,和二极管光谱响应的峰值'红移”.但未见饱和现象,还观测到明显的室温恢复现象;但高温退火处理后未能完全恢复.本文对以上实验结果给出了合理的解释.