【摘 要】
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研究了电源功率对磁控溅射制备的SiOx薄膜阻隔性的影响,获得了电源功率与薄膜阻隔性的变化曲线.实验结果表明,电源功率与SiOx薄膜的阻隔性成非线性关系,在电源功率为1 600 W
【基金项目】
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国家“十一五”科技支撑计划课题资助（2006BAD05A05）.
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研究了电源功率对磁控溅射制备的SiOx薄膜阻隔性的影响,获得了电源功率与薄膜阻隔性的变化曲线.实验结果表明,电源功率与SiOx薄膜的阻隔性成非线性关系,在电源功率为1 600 W时SiOx薄膜阻隔性最好,透氧率为0.01 cm^3/（m^2·kPa·24h）,透湿率为0.003 g/（m^2·kPa·24h）.通过对3组不同电源功率下SiOx薄膜的红外光谱进行检测分析,得到薄膜的阻隔性与SiOx分子结构有关,x（1≤x≤2）越大阻隔性越好,x=2时,SiOx分子结构
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