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采用氩离子刻蚀XPS（X光激发电子能谱）分析对Si3N4／SiO2／Si双界面系统进行了电离辐照剖面分析。实验结果表明：电离辐照能将SiO2和Si构成的界面区中心向Si3N4／SiO2界面方向推移，同时SiO2／Si界面区亦被电离辐照展宽。在同样偏置电场中辐照，随着辐照剂量的增加电离辐照相当程度地减少位于SiO2／Si界面区Si3N4态（结合能B．E．101．8eV）Si的浓度。同时辐照中所施偏置电场对SiO2／Si界面区Si3N4态键断开有显著作用。文中就实验现象的机制进行了初步探讨。