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介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的CMOS带隙基准源，通过数字控制信号逻辑的改变，可实现1．20～1．27V的基准输出。该带隙基准源采用TSMC0．18μm工艺进行电路和版图设计。仿真结果显示，在输出基准为1．24V的情况下，带隙基准源在-40—125℃，所有工艺角下的最大误差为23．07mv，其中tt工艺角下的温度系数为21×10^-6／℃。电源电压为1．8V时，电源电流为63肛A；关断模式下电流为93pA。10kHz的电源抑制比为44dB。