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硅表面微粗糙度对于现代微电子工艺是一个非常重要的参数.本文综述了硅片表面微粗糙度的研究进展,讨论了微粗糙度的测量和产生机理,指出硅片表面微粗糙度主要受RCA清洗工艺,尤其是APM清洗的影响,但可以通过降低氨水含量得以抑制;另外,去离子水漂洗、空气中的水汽、硅表面的微观缺陷等都会影响微粗糙度,而这些也有相应的措施.