【摘 要】
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碳化硅SiC（silicon carbide）是目前最为成熟的宽禁带半导体材料之一,在高压、高温、高频等领域,碳化硅器件的研究和应用已成为当前的研究热点。针对碳化硅器件目前的生产使用状
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碳化硅SiC（silicon carbide）是目前最为成熟的宽禁带半导体材料之一,在高压、高温、高频等领域,碳化硅器件的研究和应用已成为当前的研究热点。针对碳化硅器件目前的生产使用状况,简述了与碳化硅主要生产商CREE紧密合作的FREEDM中心的研究情况,重点分析了高压SiC MOSFET,IGBT,ETO,JFET在SST（Solid State Transformer）和FID（Fault Isolation Device）中的应用。针对各类器件本身的特性,FREEDM中心有针对性的选择了相关应用领
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