目的探讨电针对脑缺血再灌注(ischemia reperfusion,IR)大鼠不同时间点皮层超微结构及轴突再生抑制因子Nogo-A表达的影响。方法 130只雄性SD大鼠随机数字表法分为电针组(30只)、假穴位组(30只)、模型组(30只)、假手术组(30只)和空白组(10只)。电针、假穴位、模型3组采用改良的ZeaLonga法制备左侧大脑中动脉闭塞(middle cerebral artery occlusion,MCAO)模型。电针组术后选取督脉"大椎"、"百会"穴每天给予电针治疗。假穴位组术后选取督脉"大椎"、"百会"穴旁开1寸处给予电针治疗。模型组仅作MCAO缺血再灌注模型处理,假手术组仅做手术创伤,空白组不作任何处理。运用免疫组织化学染色法及透射电镜技术观察电针对IR后1、7、28d各组大鼠脑皮层缺血区细胞超微结构及Nogo-A表达的干预作用。结果电针组脑皮层缺血区神经元、胶质细胞及血脑屏障等超微结构的损伤均较假穴位组、模型组减轻。电针组大鼠脑缺血再灌注后第1、7、28d脑皮层缺血区Nogo-A的表达均低于同期假穴位组及模型组,差异有统计学意义(P<0.05),但假穴位组与模型组同期比较,差异无统计学意义(P>0.05)。结论电针对大鼠脑缺血再灌注损伤的保护作用,可能与其减轻脑细胞超微结构的损害、下调中枢神经轴突再生抑制因子Nogo-A的表达等机制密切相关。