Al-Mg-Si合金滑移面结合及位错运动机制

来源 :重庆工学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hantao2007
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运用固体经验电子理论(EET理论),对Al—Mg—Si合金GP区(L10型,下同)、β相(Mg2 Si)相邻滑移面之间总的共价键结合能力进行了计算,结果表明:GP区与B相滑移面之间总的结合能力分别为基体Al的1.36与3.32倍,通过这种结合能力的比较,可以合理解释它们的硬度及其对合金的硬化强化作用与位错不同交互机理的内在原因。
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