日本Dowa公司有意开发GaN衬底材料

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据日本媒体Nihon Keizai Shimbun报道,日本有色金属制造商Dowa Min- ing有意批量生产蓝宝石基的GaN衬底材料。总部位于东京的Dowa公司将与名古屋工业大学合作开发上述产品,某些技术将由NGK Insulators公司提供。 Dowa公司预计向这个新项目投资超过4600万美元,在2007年财年一开始就投入量产,并预期在2008财年期间产品的销售收人达到9000万美元左右。 According to Japanese media Nihon Keizai Shimbun reported that the Japanese non-ferrous metals manufacturer Dowa Min ing intentionally mass production of sapphire-based GaN substrate material. Dowa, headquartered in Tokyo, will work with Nagoya Institute of Technology to develop these products, some of which will be supplied by NGK Insulators. Dowa expects to invest more than $ 46 million in this new project, starting volume production from the beginning of fiscal year 2007 and expects sales of products to reach around $ 90 million in fiscal year 2008.
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