【摘 要】
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实验采用α-SiC、β-SiC粉体为原料,B4C为烧结助剂,热压烧结制备SiC陶瓷。以烧结温度、保温时间、烧结压力为影响因素,设计正交试验,分析三者对SiC陶瓷烧结特性与显微结构的
【机 构】
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西安科技大学材料科学与工程学院; 广东东鹏陶瓷股份有限公司;
【基金项目】
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国家自然科学基金(51074123);陕西省科学技术研究发展计划项目(2010TG-02)
论文部分内容阅读
实验采用α-SiC、β-SiC粉体为原料,B4C为烧结助剂,热压烧结制备SiC陶瓷。以烧结温度、保温时间、烧结压力为影响因素,设计正交试验,分析三者对SiC陶瓷烧结特性与显微结构的影响规律。研究结果表明:在烧结温度1900℃、保温时间60 min及烧结压力50 MPa的烧结条件下可以获得致密度为99.2%的SiC陶瓷,当添加10%的β-SiC后,陶瓷生成大量长柱状颗粒,同时断裂韧性和抗弯强度亦有所提高,但因固相烧结不存在弱界面结合,故对SiC陶瓷整体性能的增强有限。
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