新型层状Bi2Se3的第一性原理研究

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近年来,在石墨烯研究热潮的推动下,众多种类丰富、性能各异的二维化合物材料相继被发现,其中一些二维材料具有多种同素异构体,进而呈现出更丰富的性质.层状Bi2Se3由于其独特的物理性质,受到人们广泛的关注,而它的同素异构体尚未有人研究.本文采用基于密度泛函理论的结构搜索方法,预测了一个稳定的b-Bi2Se3新相,它具有良好的动力学和热力学稳定性,并在低Bi2Se3源化学势条件下容易形成.单层b-Bi2Se3是一个直接带隙为2.44 eV的二维半导体,其电子载流子有效质量低至0.52m0,在可见光范围内具有高达
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