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采用射频磁控溅射法在硅（100）衬底上制备高质量的ZnO压电薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、压电响应力显微镜（PFM）等仪器研究了薄膜成分，表面形貌和压电性质。结果表明：实验制备的ZnO薄膜具有很好的压电性质，C轴取向和表面粗糙度对薄膜压电特性有很大影响，高度c轴取向生长和表面粗糙度较小的ZnO薄膜表现出更好的压电性质。