论文部分内容阅读
从基本半导体方程出发,用数值模拟方法得到了一种新型晶体管内部的电场分布,载流子浓度分布和输出特性.晶体管的有效基区宽度约为50nm.证明了这种晶体管有效基区中的电场是载流子输运的主要机制,它的输出特性与MOS场效应管的输出特性相似.这种晶体管有望用作数字电路中的高速器件.
一种新型PNP晶体管的数值分析
【摘 要】
：
从基本半导体方程出发,用数值模拟方法得到了一种新型晶体管内部的电场分布,载流子浓度分布和输出特性.晶体管的有效基区宽度约为50nm.证明了这种晶体管有效基区中的电场是载
【机 构】
：
北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学物理学系
【出 处】
：
北京师范大学学报(自然科学版)
【发表日期】
：
2003年2期
其他文献
变量反馈控制混沌的基础上,提出了一种不需要知道目标轨道的直接变量反馈控制混沌的方法.通过调节反馈强度可以得到不同的稳定周期轨道.这种方法用于控制混沌的Duffing方程,
基于均衡函数之间的一种等价关系定义了均衡函数的等效性.在该等效意义下证明了和型与积型均衡函数在结构上的某种同一性.通过分析一类特殊的状态变权向量,进一步揭示了状态